Тайваньская компания TSMC начала массовое производство 2-нм чипов на своем предприятии Fab 22 на юге Тайваня, в городе Гаосюн. Этот шаг был запланирован на четвертый квартал текущего года и свидетельствует о значительном прогрессе в развитии технологий производства микросхем.
Технические характеристики техпроцесса N2
Первое поколение техпроцесса N2, разработанного TSMC, обещает обеспечить прирост быстродействия на 10–15% при неизменном энергопотреблении или снижение энергопотребления на 25–30% при сохранении уровня быстродействия транзисторов. Кроме того, плотность размещения транзисторов увеличится на 15% для чипов смешанного дизайна и на 20% для логических компонентов по сравнению с техпроцессом N3E.
Новая структура транзисторов и технологии
- TSMC впервые использует структуру транзисторов с окружающим затвором (GAA) в рамках 2-нм техпроцесса, что улучшает контроль за электростатическими параметрами, снижает токи утечки и позволяет уменьшить размеры транзисторов без ухудшения быстродействия или энергетической эффективности.
- В рамках техпроцесса N2 будут использоваться конденсаторы типа SHPMIM в подсистеме питания чипов, которые увеличивают ёмкостную плотность более чем в два раза и снижают сопротивление.
Планы развития и внедрения
Глава TSMC Си-Си Вэй сообщил, что техпроцесс N2 будет внедрён в условиях массового производства до конца четвёртого квартала с хорошим уровнем выхода годной продукции. В 2026 году объёмы производства будут наращиваться, в том числе за счёт чипов для смартфонов и высокопроизводительных решений для искусственного интеллекта.
Производственные мощности
Выпуск чипов по технологии N2 начался на Fab 22 — предприятии на юге Тайваня, хотя исследовательский центр по её освоению находится в Синьчжу. Fab 20, расположенная по соседству, освоит выпуск 2-нм продукции позднее.
Перспективы и будущие разработки
К концу 2026 года оба предприятия начнут выпускать чипы по технологии N2P, которая обеспечит прирост производительности, а также по технологии A16, добавляющей подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины (Super Power Rail). Это позволит создавать более эффективные и сложные по своей компоновке чипы для сегмента высокоскоростных вычислений.
Массовое производство таких компонентов должно начаться во второй половине 2026 года, что открывает новые возможности для развития технологий в различных сферах, от смартфонов и компьютеров до искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.
RU 
EN