Samsung возрождает сверхбыстрые SSD с памятью Z-NAND для ИИ-нагрузок

Samsung возрождает технологию памяти Z-NAND

Компания Samsung Electronics решила возродить технологию памяти Z-NAND после семилетнего перерыва, позиционируя её как высокопроизводительное решение для ИИ-нагрузок.

Увеличение производительности и снижение энергопотребления

По данным DigiTimes, следующее поколение памяти Z-NAND получит 15-кратное увеличение производительности по сравнению с современными NVMe SSD и даст возможность ускорителю возможность напрямую обращаться к накопителю Z-NAND с минимальными задержками.

Исполнительный вице-президент Samsung по производству памяти сообщил, что при значительном росте производительности с помощью технологии Z-NAND энергопотребление накопителей будет на 80% ниже по сравнению с традиционной флеш-памятью NAND.

Новая технология GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS)

Для минимизации задержек Samsung внедряет новую технологию GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS), которая позволит ускорителям напрямую обращаться к устройствам хранения Z-NAND, минуя CPU и RAM, тем самым значительно сокращая время доступа.

История технологии Z-NAND

Samsung представила технологию Z-NAND в 2016 году в качестве альтернативы памяти Intel 3D XPoint (Optane). Вышедший в 2018 году твердотельный накопитель Samsung 983 ZET на базе 64-слойной SLC 3D V-NAND предлагал значительно более низкую задержку и высокие скорости в сравнении с обычными NVMe SSD.

Конкуренция на рынке сверхбыстрых SSD

На рынке сверхбыстрых SSD есть и другие игроки, такие как Kioxia (ранее Toshiba) с технологией XL-Flash, Phison с eSLC-накопителями PASCARI и технологией aiDAPTIV+, Solidigm и Micron со своими SLC-накопителями.

Вызовы для Samsung

Широкая востребованность Z-SSD может оказаться под вопросом из-за анонсов быстрых SSD с интерфейсом PCIe 6.0 и CXL, позволяющим относительно недорого наращивать объём памяти.